微細構造ガラスウエハ
貴社のご要求設計に合わせて加工致します。
当社独自のガラス成形および加工技術は、半導体、MEMSおよびバイオテクノロジー業界向けに独自製法におけるガラスウエハ微細構造ソリューションを提供します。当社は、常にお客様に焦点を当て、最先端の製品を提供することでお客様とパートナーシップを築いたことで世界的に知られています。
さらにYEJガラス独自のガラス熱成形工法によりガラスエッジ部のチッピング防止、アニーリング処理による残留応力の低減を実現し、お客様工程での歩留を高め、ロスを低減することができます。
2.5～3次元的パッケージングにより、半導体の小型化に最適しでガラスの物性により高周波特性の改善が可能です。
Interposer Glass Wafer
General Properties
Application.
MEMSセンサー・3次元集積化MEMSセンサー
CMOSイメージセンサー
自動車RF&カメラモジュール
RF部品・モジュール部品
ライダーセンサー用
Type.
2~2.5D／3次元集積構造
Size.
直径2"～12"
厚み → 貴社ご要望に応じて
Speciality.
高精度且つ高公差
小径貫通穴加工
貫通配線加工（ガラス＋金属の一体成形品）
Standard Production Spec
Make it stand out.
昨今の半導体デバイスにはますます小型化・高性能化・多機能化が求められています。 Moore's lawを超えて、More Moore・More than Mooreを達成するためには半導体集積回路の高密度化は必要不可欠です。 そのために、従来のリードフレーム・ワイヤボンディングに代わって、電極配線を基板に直接埋め込んだ貫通電極基板＝インターポーザがこれから主流になっていくでしょう。
現在では貫通電極基板として金属Siウェハに貫通電極を施したTSV(Though Silicon via)や、従来の貫通穴ガラス基板に金属メッキを施して通電を可能にしたガラス基板があります。
しかし、いずれも形状加工の制約が多く、表面平滑性が悪く、半導体デバイスへの通電の面から見ると金属Siウェハや金属メッキに電気が漏れやすいデメリットが存在します。
ガラスに貫通電極を埋め込むことが出来れば良いですが、ガラスは固く脆いため、加工が困難であったり高コストになりがちです。そこで弊社独自の技術である金型成形加工でのInterposer waferは多くの問題を解決できます。 貫通電極配線を精度よく、緻密に配置することが出来ます。さらに貫通電極配線をガラス平面だけではなく、凹み形状内部にも配線することも可能です。
ガラス基板は高い平滑性と形状安定性を持ち、封止の不具合やダイシングカット時の加工不具合による歩留まり低下の防止に貢献します。切削加工では低歩留まりや高コストになりがちなInterposer wafer加工を、金型成形加工では低コストで大量に生産することが出来ます。
私たちのInterposer waferが、より高度な半導体デバイスの製作の一助になると考えています。
Precision Processing
多数の貫通電極を高精度に配置可能です。(ズレ±50μｍ)
Highly Flexible Via Layout Design
平面形状だけでなくキャビティなどの様々な形状に貫通電極を配置できます。
Superior Electrical Properties
ガラスの絶縁性により電気的損失が小さく、電気信号伝達性が高くなります。
Out-gas Clearance
Siウェハとの陽極接合により封止材からのアウトガス問題が解消されます。
Wide range of applications
40年以上のガラス成形技術の蓄積により機械加工では出来なかったDesignを実現します。
Next Challenge
超微細貫通配線(φ0.1ｍｍ・ピッチ0.01mm)
